نوع جديد و مختلف من 3D Transistor

هل تعتقد ان انتل فقط الحريصة علي اهتمام و تطوير تقنية 3D Transistor اذا عليك ان تستعد لرؤيت بعض الأبجاث و التقارير الجديدة عن تلك التقنية , اولاً انتل قامت بستخدام 3D Transistor لأول مره مع معالجات ivy-bridge و التي تأتي بدقة تصنيع 22nm و استخدمت انتل مع تلك المعالجات SOI high-K gates و التي استفادت من Hafnium العنصر الفلزي و الذي سمح بأبتكار اسلاك مصنوعة من الغاليوم الإنديوم (indium gallium) و تلك الأسلاك تأتي بدقة تصنيع 10nm و لكن بتلك المعالجة لا تتترجم بالضرورة مباشرة. و و لكن بعض الأبحاث أكدت علي ان بعض Transistor تملتك 6 حواف (Edges) و من الممكن ان يتم الأستفادة منها جميع و مضاعفة الكثافة بمقارنا بنموذج انتل لل3D Transistor علي الرغم من انها لم تذكر الأثر الحراري من تلك العملية او زيادة عدد Gates , من المتوقع ان الGate المصنوعة من Silicon  في المستقبل تصبح بأصغر حجماً من ذي قبل و قدمت بعض الأبحاث في اليابان خطة لتطوير المعماريات القادمة عن طريق الافتعال العمودي او مايسمي ب( vertical transistors) من الأشبه موصلة من أسلاك  nanowires علي الشريحة السلوكونية و تلك الأسلاك مصنوعة من gallium arsenide و تدعم 3D-Transistor .

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *