27 فبراير 2017

اهم الخصاص القادمة فى جيل مُعالجات INTEL Ivy Bridge-E

INTEL-Ivy Bridge-E-CPU-HEDT-Features-APCW-01

INTEL Ivy Bridge-E CPU HEDT Features

طرح موقع mydrivers الصينى اليوم معلومات هامة تخُص جيل مُعالجات انتل Ivy Bridge-E والذى يُمثل الفئة العُليا لمُعالجات Ivy Bridge الموجودة بالاسواق حاليا , من الجدير بالذكر ان مُعالجات Ivy Bridge-E سوف تأتى مُعتمدة على دقة تصنيع 22nm بالتنقيح الجديد لبنية الترانزيستورات الداخلة فى تصنيع معمارية المُعالج .

يوضح السليد الموجود امامنا ان المُعالجات سوف تأتى بأداء قوى يفوق اداء مُعالجات ال Sandy Bridge-E الموجودة حاليا بالاسواق وستأتى المُعالجات الجديدة ايضا بدعم قوى يصل الى 40 Lanes لشقوق PCI-Express Gen 3.0 التى تعمل بقوة 16X كما ستأى المُعالجات ايضا بدعم كامل لواجهة الذواكر بقُدرة كواد تشانل بأستخدام ذواكر من النوع DDR3 بتردُد يصل الى 1866 MHz حيثُ ان المُعالجات الجديدة ستعمل مع اللوحات الام التى تحمل رقاقة x79  بعد عمل تحديث للبايوس الخاص بها .

كما تدعُم ايضا المُعالجات الجديدة تكنولوجيا ال Turbo Boost 2.0 وايضا تكنولوجيا ال Hyber-Threading .

من المُحتمل ان تتوفر ثلاثة نماذج جديدة من مُعالجات Ivy Bridge-E ولكن غير مُتأكدين من مُسمياتها على وجة الدقة الى الان .

من المُحتمل ان تأتى هذة المُعالجات فى الرُبع الرابع من هذا العام بسبب تأجيل اطلاق مُعالجات Haswell .

Article Tags

Related Posts