24 فبراير 2017

intel ستستخدم دقة تصنيع 22nm بتكنولوجيا Tri-Gate Transistor فى صُنع رقاقات SOCs

بعد ان استطاعت شركة انتل استخدام دقة تصنيع 22nm بتكنولوجيا ال Tri-Gate Transistor المُستخدمة سابقا فى تصنيع اخر جيل من مُعالجات اجهزة سطح المكتب فى سلسلة Core iX هاهى اليوم تؤكد  اعتزامها استخدام نفس دقة التصنيع الجديدة  فى تصنيع رقائق اجهزة المحمول الذكية التى تحمل اسم SOC او  systems on chips حيثُ ان استخدام هذة الدقة مع شرائح الاجهزة المحمولة سوف تُقلل كثيرا من استهلاك هذة النوعية من المعُالجات لآستهلاك الطاقة مما سيترتب علية عُمر اطول بشكل كبير وملحوظ للبطاريات المُستخدمة لتشغيل مثل  هذة النوعية من الأجهزة الحساسة كالهواتف الذكية .

أعلنت شركة إنتل ايضا خلال اجتماع الأجهزة الإلكترونية الدولي لعام 2012 ان تطوير هذه الرقائق في التقدم كبير حيثُ ان المسولين فى الشركة عن تطوير هذة الرقاقات يتوقعون ان تأتى شرائح SOC المبنية بدقة تصنيع 22nm بفارق اداء كبير قد يصل الى 65% كدفعة اعلى فى الاداء عن رقاقات SOC المُصنعة بدقة تصنيع 32nm المُستخدمة حاليا لم تُدلى انتل بالمزيد من التفاصيل فقط كانت تلك الكلمات الهامة عن مُستقبل هذة الصناعة بالنسبة للشركة .

Article Tags

Related Posts