19 يناير 2017

مراجعة اللوحة ASUS Rampage IV Formula Battlefield 3 Edition

تابع – نظرة عن قرب (المقبس ودائرة الطاقة)

ننتقل للجزء الرئيسي في اللوحة و هو مقبس المعالج والذواكر ، مقبس 2011 يأتي بحجم كبير فعلاً و هو يقع بين منافذ الذواكر و يحاط من الأعلى و الأسفل بنظام التبريد الخاص باللوحة ، و يأتي مقبس المعالج بذراعين متقابلين يقومان بإحكام غلق المعالج جيدا و يوجد على المقبس إرشادات بسيطة للتركيب والفك ، و قد قدمت أسوس حلاً جيداً للحفاظ على نظام التبريد الخاص بك ، فبإستخدام X-Socket يمكنك إستخدام نظام التبريد القديم لمقبس 1366، عن طريق إزالة البراكيت المعدني الخاص بمقبس 2011 و تركيب البراكيت الخاص X-Socket لتتوافق اللوحة مع كل انظمة التبريد الداعمة لمقبس 1366

تحتوي اللوحة على عدد 4 شقوق للذاكرة أثنان على كل جانب تدعم ذواكر من نوع DDR3 حتى سرعة 2400MHz رباعية القناة و تتيح أستخدام ذواكر بحجم أقصى 32Gb

دائما ما تميزت لوحات ROG بإعتمادها على دوائر طاقة قوية والأمر لا يختلف هنا ، تعتمد اللوحة على دائرة طاقة VRM قوية تتكون من 8 Phase Power للمعالج و Phase Power 3 لمتحكم الذاكرة المدمج بالمعالج و Phase Power 2+2 للذواكر العشوائية وتٌغذى هذه الدائرة عن طريق منفذ الطاقة 8 Pin الذي يقع خلف المشتت العلوي للوحة.

تتميز هذه الدائرة بإحتوائها على مكونات عالية الجودة والكفاءة مثل 10K Black Metalic Cap يابانية الصنع والتي تستطيع العمل في نطاق درجات حرارة من -70 الي 125 درجة مئوية وتعطي 5 أضعاف العمر الافتراضي للأنواع الأخرى مع Black Metal chocks عالية الجودة تعطي قدرة تصل إلي 50 أمبير ، و أخيرا الـ NexFET Power MOSFET من تصنيع شركة Texas Instruments و هي تعطي ضعف قدرة التيار بالنسبة للأنواع الأخرى من Low RDS On MOSFET مع معدل كفاءة يصل إلي %90 عند الضغط.

دائرة الطاقة في هذه اللوحة رقمية بالكامل و يتم التحكم فيهاً عن طريق معالج الطاقة Extreme Engine Digi+ II الجديد ليقدم أقصى كفاءة و ثبات للتيار في أقصى ظروف التشغيل و تمنح محبي كسر السرعة المزيد من القدرة على كسر السرعة المفرط.

صفحة: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

Article Tags

Related Posts